Intel’den RAM çözümü: ZAM!

Intel, uzunluğu tek aradan sonraları hafıza pazarına iddialı tek dönüş yapmaya hazırlanıyor. Şirket, SoftBank iştiraki Saimemory ile ortaklaşa geliştirdiği yepyeni hafıza teknolojisinin prototipini birinci kez gün yüzüne çıkardı. Z-Angle Memory (ZAM) adı verilen bu yepyeni çözüm, özellikle HBM’in (Yüksek Bant Genişlikli Bellek) pazardaki şimdiki hakimiyetine güçlü tek seçenek oluşturmayı ve tekelleşmeyi kırmayı amaçlıyor.

Intel Yeni ZAM Bellek Prototipini Tanıttı: 512 GB Kapasite ve Düşük Güç Tüketimi

Japonya’da gerçekleştirilen Intel Connection Japan 2026 tesirnliğinde sahneye çıkan teknolojiler devi, ZAM teknolojisinin birinci biçimsel gösterimini yaptı. Etkinliğe Intel’in üst düzey yöneticilerinden Joshua Fryman ve Intel Japonya CEO’su Makoto Onho’nun katılması, şirketin bu tasarıye ne kadar önem verdiğini açıkça gösteriyor. Daha önce yalınce teknikleri makalelerde ve basın bültenlerinde adı geçen bu teknoloji, artık beton tek prototip olarak karşımızda duruyor.

ZAM teknolojisinin en ayırt edici özelliği, bağlantıların kalıp yığını içinde klasik yöntemlerde olduğu gibi düz tek şekilde aşağıya inmek seçenek çapraz olarak yönlendirildiği kademeli tek mimari kullanmasıdır. Intel’e göre bu yapısal değişiklik, şimdiki hafıza çözümlerinde sıkça karşılaşılan icra darboğazlarını ve yüksek ısınma sualnlarını çözmek adına büyük tek üstünlük sağlıyor.

Paylaşılan satış verilerine göre Z-Angle hafıza tasarısi, rakibi HBM ile kıyaslandığında yüzde 40 ila 50 oranında daha düşük güç tüketimi vaat ediyor. Ayrıca Z-Angle ara bağlantıları sayesinde üretim sürecinin daha basit hale geleceği ve yonga başına depolar kapasitesinin 512 GB’a kadar çıkabileceği belirtiliyor. Intel’in tasarıdeki rolü şimdilik birinci yatırım ve stratejiklik hükümlar olarak tanımlansa da hedeflerin oldukça büyük olduğu görülüyor.

Intel’in HBM teknolojisine rakip olarak geliştirdiği bu yepyeni ZAM hafıza teknolojisi ve sunduğu güç tasarrufu verileri hakkında siz neler düşünüyorsunuz?